Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-хSeх-InSe (0≤х≤1) / Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З. (2006)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455225
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2006, № 2)

Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З.
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-хSeх-InSe (0≤х≤1)

Бібліографічний опис:
Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-хSeх-InSe (0≤х≤1). Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. № 2. С. 41-42. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455225

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2006, 2)

Katerinchuk V. N., Kovaljuk M. Z.
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)

Cite:
Katerinchuk, V. N., Kovaljuk, M. Z. (2006). Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1). Technology and design in electronic equipment, 2, 41-42. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455225 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна