Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов / Батаев М., Батаев Ю., Бриллсон Л. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473551
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології   А - 2020 /  Випуск (2011, Т. 9, Вип. 1)
Батаев М., Батаев Ю., Бриллсон Л.
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
Бібліографічний опис:
Батаев М., Батаев Ю., Бриллсон Л. Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2011. Т. 9, Вип. 1. С. 85-92. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473551 |  Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies / Issue (2011, 9 (1))
Bataev M., Bataev Ju., Brillson L.
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
Cite:
Bataev, M., Bataev, Ju., Brillson, L. (2011). Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 9 (1), 85-92. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473551 [In Russian]. | |
|
|
PDF