Туннельные переходы на основе тонких плёнок MgB2 с разными функциями распределения прозрачностей / Шаповалов А. П., Ларкин С. Ю., Шатерник В. Е., Прихна Т. А., Носков В. Л., Белоголовский М. А. (2011)
Ukrainian

English   Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies   /     Issue (2011, 9 (4))

Shapovalov A. P., Larkin S. Ju., Shaternik V. E., Prikhna T. A., Noskov V. L., Belogolovskij M. A.
Tunnel heterojunctions based on MgB2 thin films with different functions of transparency distribution


Cite:
Shapovalov, A. P., Larkin, S. Ju., Shaternik, V. E., Prikhna, T. A., Noskov, V. L., Belogolovskij, M. A. (2011). Tunnel heterojunctions based on MgB2 thin films with different functions of transparency distribution. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 9 (4), 747-758. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473811 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна