Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si / Горох Г. Г., Соловей Д. В., Лабунов В. А., Осинский В. И., Мазунов Д. О. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473828
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології   А - 2020 /  Випуск (2011, Т. 9, Вип. 4)
Горох Г. Г., Соловей Д. В., Лабунов В. А., Осинский В. И., Мазунов Д. О.
Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
Бібліографічний опис:
Горох Г. Г., Соловей Д. В., Лабунов В. А., Осинский В. И., Мазунов Д. О. Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2011. Т. 9, Вип. 4. С. 913-923. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473828 |  Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies / Issue (2011, 9 (4))
Gorokh G. G., Solovej D. V., Labunov V. A., Osinskij V. I., Mazunov D. O.
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
Cite:
Gorokh, G. G., Solovej, D. V., Labunov, V. A., Osinskij, V. I., Mazunov, D. O. (2011). Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 9 (4), 913-923. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473828 [In Russian]. | |
|
|
PDF