Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами / Первак Ю. А., Федоров В. В. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474905
  Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології     А - 2020  /     Випуск (2012, Т. 10, Вип. 3)

Первак Ю. А., Федоров В. В.
Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами

Бібліографічний опис:
Первак Ю. А., Федоров В. В. Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2012. Т. 10, Вип. 3. С. 467-476. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474905

English   Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies   /     Issue (2012, 10 (3))

Pervak Ju. A., Fedorov V. V.
Features of electric field distribution in 1D photonic crystals with three half-wave defects

Cite:
Pervak, Ju. A., Fedorov, V. V. (2012). Features of electric field distribution in 1D photonic crystals with three half-wave defects. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 10 (3), 467-476. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474905 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна