Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Балабай Р. М. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474982
  Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології     А - 2020  /     Випуск (2012, Т. 10, Вип. 4)

Балабай Р. М.
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

Бібліографічний опис:
Балабай Р. М.  Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2012. Т. 10, Вип. 4. С. 847-857. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474982

English   Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies   /     Issue (2012, 10 (4))

Balabai R. M.
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations

Cite:
Balabai, R. M. (2012). Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 10 (4), 847-857. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474982 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна