Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / Вальков В. В., Аксенов С. В., Уланов Е. А. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476646
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2013, Т. 39, № 1)

Вальков В. В., Аксенов С. В., Уланов Е. А.
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Бібліографічний опис:
Вальков В. В., Аксенов С. В., Уланов Е. А. Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь. Физика низких температур. 2013. Т. 39, № 1. С. 48-52. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476646

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2013, 39 (1))

Valkov V. V., Aksenov S. V., Ulanov E. A.
The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity

Cite:
Valkov, V. V., Aksenov, S. V., Ulanov, E. A. (2013). The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity. Low Temperature Physics, 39 (1), 48-52. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476646 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна