Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Новокшонов С. Г., Клепикова А. С., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476649
Физика низких температур   А - 2019 /  Випуск (2013, Т. 39, № 1)
Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Новокшонов С. Г., Клепикова А. С., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В.
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
Бібліографічний опис:
Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Новокшонов С. Г., Клепикова А. С., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла. Физика низких температур. 2013. Т. 39, № 1. С. 66-75. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476649 |  Low Temperature Physics / Issue (2013, 39 (1))
Arapov Ju. G., Gudina S. V., Neverov V. N., Novokshonov S. G., Klepikova A. S., Kharus G. I., Shelushinina N. G., Jakunin M. V.
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
Cite:
Arapov, Ju. G., Gudina, S. V., Neverov, V. N., Novokshonov, S. G., Klepikova, A. S., Kharus, G. I., Shelushinina, N. G., Jakunin, M. V. (2013). Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime. Low Temperature Physics, 39 (1), 66-75. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476649 [In Russian]. | |
|
|
PDF