Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Савельев А. П., Якунин М. В. (2015)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477116
Физика низких температур   А - 2019 /  Випуск (2015, Т. 41, № 3)
Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Савельев А. П., Якунин М. В.
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
Бібліографічний опис:
Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Савельев А. П., Якунин М. В. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения. Физика низких температур. 2015. Т. 41, № 3. С. 289-303. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477116 |  Low Temperature Physics / Issue (2015, 41 (3))
Arapov Ju. G., Gudina S. V., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Savelev A. P., Jakunin M. V.
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
Cite:
Arapov, Ju. G., Gudina, S. V., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Savelev, A. P., Jakunin, M. V. (2015). Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination. Low Temperature Physics, 41 (3), 289-303. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477116 [In Russian]. | |
|
|
PDF