Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров ge на si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / Рубежанская М. Ю. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516431
  Поверхность  Б - 2020  /     Випуск (2012, Вып. 4)

Рубежанская М. Ю.
Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров ge на si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

Бібліографічний опис:
Рубежанская М. Ю.  Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров ge на si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии. Поверхность. 2012. Вып. 4. С. 193-202. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516431

English  Surface   /     Issue (2012, 4)

Rubezhanskaja M. Ju.
Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy

Cite:
Rubezhanskaja, M. Ju. (2012). Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy. Surface, 4, 193-202. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516431 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна