Вплив нейтронного опромінення на характеристики потужних InGaN/GaN світлодіодів / Власенко О. І., Велещук В. П., Власенко З. К., Киселюк М. П., Литовченко П. Г., Петренко І. В., Тартачник В. П., Пінковська М. Б. (2015)
Ukrainian

English  Nuclear physics and atomic energy   /     Issue (2015, 16 (4))

Vlasenko O. I., Veleshchuk V. P., Vlasenko Z. K., Kyseliuk M. P., Lytovchenko P. H., Petrenko I. V., Tartachnyk V. P., Pinkovska M. B.
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes


Cite:
Vlasenko, O. I., Veleshchuk, V. P., Vlasenko, Z. K., Kyseliuk, M. P., Lytovchenko, P. H., Petrenko, I. V., Tartachnyk, V. P., Pinkovska, M. B. (2015). Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes. Nuclear physics and atomic energy, 16 (4), 362-366. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516839 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна