Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы / Кондрик А. И. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000517699
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2016, № 1)

Кондрик А. И.
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы

Бібліографічний опис:
Кондрик А. И.  Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2016. № 1. С. 12-19. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000517699

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2016, 1)

Kondrik A. I.
Detector properties of Cd0,9Zn0,1Te:Al under the influence of low doze gamma irradiation

Cite:
Kondrik, A. I. (2016). Detector properties of Cd0,9Zn0,1Te:Al under the influence of low doze gamma irradiation. Technology and design in electronic equipment, 1, 12-19. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000517699 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна