Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films / Prokhorov V. G., Kaminsky G. G., Kim J. M., Eom T. W., Park J. S., Lee Y. P., Svetchnikov V. L., Levtchenko G. G., Nikolaenko Yu. M., Khokhlov V. A. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000542988
Физика низких температур   А - 2019 /  Випуск (2011, Т. 37, № 4)
Prokhorov V. G., Kaminsky G. G., Kim J. M., Eom T. W., Park J. S., Lee Y. P., Svetchnikov V. L., Levtchenko G. G., Nikolaenko Yu. M., Khokhlov V. A.
Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films
Cite:
Prokhorov, V. G., Kaminsky, G. G., Kim, J. M., Eom, T. W., Park, J. S., Lee, Y. P., Svetchnikov, V. L., Levtchenko, G. G., Nikolaenko, Yu. M., Khokhlov, V. A. (2011). Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films. Low Temperature Physics, 37 (4), 392-396. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000542988 | |
|
|
PDF