Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки / Ащеулов А. А., Галочкин А. В., Романюк И. С., Дремлюженко С. Г. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000546549
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2016, № 2-3)

Ащеулов А. А., Галочкин А. В., Романюк И. С., Дремлюженко С. Г.
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки

Бібліографічний опис:
Ащеулов А. А., Галочкин А. В., Романюк И. С., Дремлюженко С. Г. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2016. № 2-3. С. 3-7. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000546549

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2016, 2-3)

Ashcheulov A. A., Galochkin A. V., Romanjuk I. S., Dremljuzhenko S. G.
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6

Cite:
Ashcheulov, A. A., Galochkin, A. V., Romanjuk, I. S., Dremljuzhenko, S. G. (2016). Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 3-7. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000546549 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна