Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe / Пархоменко Г. П., Марьянчук П. Д. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606226
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2016, № 4-5)

Пархоменко Г. П., Марьянчук П. Д.
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

Бібліографічний опис:
Пархоменко Г. П., Марьянчук П. Д. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2016. № 4-5. С. 29-33. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606226

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2016, 4-5)

Parkhomenko G. P., Marjanchuk P. D.
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe

Cite:
Parkhomenko, G. P., Marjanchuk, P. D. (2016). Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe. Technology and design in electronic equipment, 4-5, 29-33. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606226 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна