Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия / Покутний С. И. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000649340
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2016, Т. 42, № 12)

Покутний С. И.
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия

Бібліографічний опис:
Покутний С. И.  Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия. Физика низких температур. 2016. Т. 42, № 12. С. 1471-1476. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000649340

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2016, 42 (12))

Pokutnij S. I.
Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots

Cite:
Pokutnij, S. I. (2016). Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots. Low Temperature Physics, 42 (12), 1471-1476. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000649340 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна