Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту / Сербенюк Т. Б., Пріхна Т. О., Свердун В. Б., Часник В. І., Ковиляєв В. В., Dellith J., Мощіль В. Є., Шаповалов А. П., Марченко А. А., Полікарпова Л. О. (2016)
Ukrainian

English  Superhard Materials   /     Issue (2016, 4)

Serbeniuk T. B., Prikhna T. O., Sverdun V. B., Chasnyk V. I., Kovyliaiev V. V., Dellith J., Moshchil V. Ye., Shapovalov A. P., Marchenko A. A., Polikarpova L. O.
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties


Cite:
Serbeniuk, T. B., Prikhna, T. O., Sverdun, V. B., Chasnyk, V. I., Kovyliaiev, V. V., Dellith, J., Moshchil, V. Ye., Shapovalov, A. P., Marchenko, A. A., Polikarpova, L. O. (2016). The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties. Superhard Materials, 4, 30-41. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000692817 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна