Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon / Neimash V. B., Goushcha A. O., Shepeliavyi P. E., Yukhymchuk V. O., Dan'ko V. A., Melnyk V. V., Kuzmich A. G. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000697572
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2014, Vol. 59, № 12)

Neimash V. B., Goushcha A. O., Shepeliavyi P. E., Yukhymchuk V. O., Dan'ko V. A., Melnyk V. V., Kuzmich A. G.
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon

Cite:
Neimash, V. B., Goushcha, A. O., Shepeliavyi, P. E., Yukhymchuk, V. O., Danko, V. A., Melnyk, V. V., Kuzmich, A. G. (2014). Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon. Ukrainian journal of physics, 59 (12), 1168-1176. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000697572

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна