Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN / Nasyrov M. U., Ataubaeva A. B. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706513
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 2)

Nasyrov M. U., Ataubaeva A. B.
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN

Cite:
Nasyrov, M. U., Ataubaeva, A. B. (2015). Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (2), 220-225. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706513

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна