Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film / Okhrimenko O. B. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714340
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 4)

Okhrimenko O. B.
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film

Cite:
Okhrimenko, O. B. (2015). Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (4), 452-455. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714340

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна