Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN / Стемпицкий В. Р., Дао Динь Ха (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714997
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2017, № 1-2)

Стемпицкий В. Р., Дао Динь Ха
Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN

Бібліографічний опис:
Стемпицкий В. Р., Дао Динь Ха Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2017. № 1-2. С. 28-32. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714997

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2017, 1-2)

Stempitskij V. R., Dao Din Kha Din Kha
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure

Cite:
Stempitskij, V. R., Dao Din Kha (2017). Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure. Technology and design in electronic equipment, 1-2, 28-32. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714997 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна