Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000748875
  Термоелектрика  В - 2017  /     Випуск (2012, № 2)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge. Термоелектрика. 2012. № 2. С. 29-38. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000748875

English  Journal of Thermoelectricity   /     Issue (2012, 2)

translit Transliteration

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Anizotropiia termoERS zakhoplennia elektroniv fononamy v n-Ge

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2012). Anizotropiia termoERS zakhoplennia elektroniv fononamy v n-Ge. Journal of Thermoelectricity, 2, 29-38 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000748875 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна