Концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K = μ┴/μ|| і параметра анізотропії термоЕРС захоплення електронів фононами M = α||ф/α┴ф В n-Ge та n-Si / Гайдар Г. П., Баранський П. І. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000749207
  Термоелектрика  В - 2017  /     Випуск (2014, № 5)

Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K = μ┴/μ|| і параметра анізотропії термоЕРС захоплення електронів фононами M = α||ф/α┴ф В n-Ge та n-Si

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Баранський П. І. Концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K = μ┴/μ|| і параметра анізотропії термоЕРС захоплення електронів фононами M = α||ф/α┴ф В n-Ge та n-Si. Термоелектрика. 2014. № 5. С. 22-30. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000749207

English  Journal of Thermoelectricity   /     Issue (2014, 5)

translit Transliteration

Haidar H. P., Baranskyi P. I.
Kontsentratsiini zalezhnosti parametra anizotropii rukhlyvosti K = μ┴/μ|| i parametra anizotropii termoERS zakhoplennia elektroniv fononamy M = α||f/α┴f V n-Ge ta n-Si

Cite:
Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2014). Kontsentratsiini zalezhnosti parametra anizotropii rukhlyvosti K = μ┴/μ|| i parametra anizotropii termoERS zakhoplennia elektroniv fononamy M = α||f/α┴f V n-Ge ta n-Si. Journal of Thermoelectricity, 5, 22-30 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000749207 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна