інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812293
Ukrainian journal of physics А - 2018 /
Випуск (2017, Vol. 62, № 11)
Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G.
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
Cite:
Zainabidinov, S., Mamatkarimov, O. O., Khimmatkulov, O., Tursunov, I. G. (2017). Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon. Ukrainian journal of physics, 62 (11), 957-960. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812293