Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / Tursunov I. G. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816992
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2017, Vol. 62, № 12)

Tursunov I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors

Cite:
Tursunov, I. G. (2017). Investigations of the deep-level parameters in semiconductors. Ukrainian journal of physics, 62 (12), 1041-1043. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816992