Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3 / Ковалюк З. Д., Катеринчук В. М., Кушнір Б. В., Товарницький М. В. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840550
  Журнал фізики та інженерії поверхні   /     Випуск (2016, Т. 1, № 3)

Ковалюк З. Д., Катеринчук В. М., Кушнір Б. В., Товарницький М. В.
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3

Бібліографічний опис:
Ковалюк З. Д., Катеринчук В. М., Кушнір Б. В., Товарницький М. В. Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3. Журнал фізики та інженерії поверхні. 2016. Т. 1, № 3. С. 242-245. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840550

English  Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni   /     Issue (2016, 1 (3))

Kovaliuk Z. D., Katerynchuk V. M., Kushnir B. V., Tovarnytskyi M. V.
Heterojunctions based on In4Se3 layered crystals

Cite:
Kovaliuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kushnir, B. V., Tovarnytskyi, M. V. (2016). Heterojunctions based on In4Se3 layered crystals. Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni, 1 (3), 242-245. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840550 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна