Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Юлдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840555
  Журнал фізики та інженерії поверхні   /     Випуск (2016, Т. 1, № 3)

Юлдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С.
Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

Бібліографічний опис:
Юлдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами. Журнал фізики та інженерії поверхні. 2016. Т. 1, № 3. С. 268-273. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840555

English  Journal of Surface Physics and Engineering   /     Issue (2016, 1 (3))

Juldashev Kh. T., Khajdarov Z., Kasymov Sh. S.
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts

Cite:
Juldashev, Kh. T., Khajdarov, Z., Kasymov, Sh. S. (2016). Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts. Journal of Surface Physics and Engineering, 1 (3), 268-273. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840555 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна