Фоточувствительность АФН-пленок в гетероструктуре из СDTE-SiO2-Si под действием внешнего электрического поля / Отажонов С. М. (2004)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849730
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2004, Т. 2, № 1-2)

Отажонов С. М.
Фоточувствительность АФН-пленок в гетероструктуре из СDTE-SiO2-Si под действием внешнего электрического поля

Бібліографічний опис:
Отажонов С. М.  Фоточувствительность АФН-пленок в гетероструктуре из СDTE-SiO2-Si под действием внешнего электрического поля. Фізична інженерія поверхні. 2004. Т. 2, № 1-2. С. 28-31 . URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849730

English  Physical surface engineering   /     Issue (2004, 2 (1-2))

Otazhonov S. M.
The photo-sensitivity of APV-films in hethero-structures consisting of CDTE-SiO2-Si under action of external electric field

Cite:
Otazhonov, S. M. (2004). The photo-sensitivity of APV-films in hethero-structures consisting of CDTE-SiO2-Si under action of external electric field. Physical surface engineering, 2 (1-2), 28-31 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849730 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна