Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3 / Осинский В. И., Гончаренко Т. И., Ляхова Н. Н. (2003)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849887
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2003, Т. 1, № 1)

Осинский В. И., Гончаренко Т. И., Ляхова Н. Н.
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3

Бібліографічний опис:
Осинский В. И., Гончаренко Т. И., Ляхова Н. Н. Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3. Фізична інженерія поверхні. 2003. Т. 1, № 1. С. 94-98. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849887

English  Physical surface engineering   /     Issue (2003, 1 (1))

Osinskij V. I., Goncharenko T. I., Ljakhova N. N.
Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3

Cite:
Osinskij, V. I., Goncharenko, T. I., Ljakhova, N. N. (2003). Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3. Physical surface engineering, 1 (1), 94-98. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849887 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна