Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / Хайдаров 3. X. (2006)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855326
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2006, Т. 4, № 1-2)

Хайдаров 3. X.
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере

Бібліографічний опис:
Хайдаров 3. X.  Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере. Фізична інженерія поверхні. 2006. Т. 4, № 1-2. С. 4-7. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855326

English  Physical surface engineering   /     Issue (2006, 4 (1-2))

Khajdarov 3. X.
Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber

Cite:
Khajdarov, 3. X. (2006). Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber. Physical surface engineering, 4 (1-2), 4-7. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855326 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна