Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / Дудин С. В. (2006)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855340
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2006, Т. 4, № 1-2)

Дудин С. В.
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Бібліографічний опис:
Дудин С. В.  Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств. Фізична інженерія поверхні. 2006. Т. 4, № 1-2. С. 117-123. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855340

English  Physical surface engineering   /     Issue (2006, 4 (1-2))

Dudin S. V.
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices

Cite:
Dudin, S. V. (2006). Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices. Physical surface engineering, 4 (1-2), 117-123. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855340 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна