Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Набиев Г. А. (2008)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867768
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2008, Т. 6, № 1-2)

Набиев Г. А.
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия

Бібліографічний опис:
Набиев Г. А.  Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия. Фізична інженерія поверхні. 2008. Т. 6, № 1-2. С. 89-91. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867768

English  Physical surface engineering   /     Issue (2008, 6 (1-2))

Nabiev G. A.
Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films

Cite:
Nabiev, G. A. (2008). Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films. Physical surface engineering, 6 (1-2), 89-91. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867768 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна