Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Алиев Р., Мухтаров Э., Олимов Л. (2010)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877911
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2010, Т. 8, № 2)

Алиев Р., Мухтаров Э., Олимов Л.
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

Бібліографічний опис:
Алиев Р., Мухтаров Э., Олимов Л. Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Фізична інженерія поверхні. 2010. Т. 8, № 2. С. 169-172. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877911

English  Physical surface engineering   /     Issue (2010, 8 (2))

Aliev R., Mukhtarov E., Olimov L.
A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures

Cite:
Aliev, R., Mukhtarov, E., Olimov, L. (2010). A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures. Physical surface engineering, 8 (2), 169-172. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877911 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна