Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / Григорчак І. І., Войтович С. А. (2010)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877936
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2010, Т. 8, № 4)

Григорчак І. І., Войтович С. А.
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками

Бібліографічний опис:
Григорчак І. І., Войтович С. А. Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками. Фізична інженерія поверхні. 2010. Т. 8, № 4. С. 320-325. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877936

English  Physical surface engineering   /     Issue (2010, 8 (4))

Hryhorchak I. I., Voitovych S. A.
Quantum capacitance and charge accumulation processes in nanostructures with alternating 2D-electron and 2D-ion layers

Cite:
Hryhorchak, I. I., Voitovych, S. A. (2010). Quantum capacitance and charge accumulation processes in nanostructures with alternating 2D-electron and 2D-ion layers. Physical surface engineering, 8 (4), 320-325. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877936 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна