Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Атакулов Ш. Б., Зайнолобидинова С. М., Отажонов С. М., Тухтаматов О. А. (2010)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877943
Фізична інженерія поверхні /  Випуск (2010, Т. 8, № 4)
Атакулов Ш. Б., Зайнолобидинова С. М., Отажонов С. М., Тухтаматов О. А.
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
Бібліографічний опис:
Атакулов Ш. Б., Зайнолобидинова С. М., Отажонов С. М., Тухтаматов О. А. Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках. Фізична інженерія поверхні. 2010. Т. 8, № 4. С. 365-370. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877943 |  Physical surface engineering / Issue (2010, 8 (4))
Atakulov Sh. B., Zajnolobidinova S. M., Otazhonov S. M., Tukhtamatov O. A.
Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
Cite:
Atakulov, Sh. B., Zajnolobidinova, S. M., Otazhonov, S. M., Tukhtamatov, O. A. (2010). Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors. Physical surface engineering, 8 (4), 365-370. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877943 [In Russian]. | |
|
|
PDF