Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Атакулов Ш. Б., Зайнолобидинова С. М., Отажонов С. М., Тухтаматов О. А. (2010)
Ukrainian

English  Physical surface engineering   /     Issue (2010, 8 (4))

Atakulov Sh. B., Zajnolobidinova S. M., Otazhonov S. M., Tukhtamatov O. A.
Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors


Cite:
Atakulov, Sh. B., Zajnolobidinova, S. M., Otazhonov, S. M., Tukhtamatov, O. A. (2010). Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors. Physical surface engineering, 8 (4), 365-370. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877943 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна