Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889684
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2011, Т. 9, № 1)

Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю.
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника

Бібліографічний опис:
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника. Фізична інженерія поверхні. 2011. Т. 9, № 1. С. 40-43. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889684

English  Physical surface engineering   /     Issue (2011, 9 (1))

Guljamov G., Sharibaev N. Ju.
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor

Cite:
Guljamov, G., Sharibaev, N. Ju. (2011). The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor. Physical surface engineering, 9 (1), 40-43. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889684 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна