| 
Фототранзистор составной на полевых транзисторах / Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Гиясова Ф. А. (2012) 
| 
 інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906923 Фізична інженерія поверхні
    /      Випуск (2012,  Т. 10, № 2) 
 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Гиясова Ф. А.Фототранзистор составной на полевых транзисторах
 
 
 Бібліографічний опис:Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Гиясова Ф. А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах. Фізична інженерія поверхні. 2012.  Т. 10, № 2. С. 226-229. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906923
 |  |  Physical surface engineering   /  Issue (2012, 10 (2)) 
 Karimov A. V., Jodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Kamanov B. M., Gijasova F. A.Phototransistor composite on field effect transistors
 
 Cite:Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A., Kamanov, B. M., Gijasova, F. A. (2012). Phototransistor composite on field effect transistors. Physical surface engineering, 10 (2), 226-229. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906923 [In Russian].
 |  |  |  |