Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Якубов Э. Н., Юлдашев Ш. Ш., Тураев А. А. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908768
Фізична інженерія поверхні /  Випуск (2012, Т. 10, № 4)
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Якубов Э. Н., Юлдашев Ш. Ш., Тураев А. А.
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
Бібліографічний опис:
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Якубов Э. Н., Юлдашев Ш. Ш., Тураев А. А. Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 4. С. 336-341. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908768 |  Physical surface engineering / Issue (2012, 10 (4))
Karimov A. V., Jodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Jakubov E. N., Juldashev Sh. Sh., Turaev A. A.
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
Cite:
Karimov, A. V., Jodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A., Jakubov, E. N., Juldashev, Sh. Sh., Turaev, A. A. (2012). Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels. Physical surface engineering, 10 (4), 336-341. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908768 [In Russian]. | |
|
|
PDF