Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3 / Бахтінов А. П., Водоп'янов В. М., Ковалюк З. Д., Кудринський З. Р., Нетяга В. В. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908770 Фізична інженерія поверхні / Випуск (2012, Т. 10, № 4)
Бахтінов А. П., Водоп'янов В. М., Ковалюк З. Д., Кудринський З. Р., Нетяга В. В. Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3
Бібліографічний опис: Бахтінов А. П., Водоп'янов В. М., Ковалюк З. Д., Кудринський З. Р., Нетяга В. В. Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 4. С. 350-359. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908770 | Physical surface engineering / Issue (2012, 10 (4))
Bakhtinov A. P., Vodopianov V. M., Kovaliuk Z. D., Kudrynskyi Z. R., Netiaha V. V. Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
Cite: Bakhtinov, A. P., Vodopianov, V. M., Kovaliuk, Z. D., Kudrynskyi, Z. R., Netiaha, V. V. (2012). Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions. Physical surface engineering, 10 (4), 350-359. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908770 [In Ukrainian]. |
|
|