Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / Рахматов А. З., Каримов А. В. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908776
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2012, Т. 10, № 4)

Рахматов А. З., Каримов А. В.
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах

Бібліографічний опис:
Рахматов А. З., Каримов А. В. Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 4. С. 392-396. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908776

English  Physical surface engineering   /     Issue (2012, 10 (4))

Rakhmatov A. Z., Karimov A. V.
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures

Cite:
Rakhmatov, A. Z., Karimov, A. V. (2012). Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures. Physical surface engineering, 10 (4), 392-396. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908776 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна