Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / Маматкаримов О. О., Хамидов Р. Х., Жабборов Р. Г., Туйчиев У. А., Кучкаров Б. Х. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908780
Фізична інженерія поверхні /  Випуск (2012, Т. 10, № 4)
Маматкаримов О. О., Хамидов Р. Х., Жабборов Р. Г., Туйчиев У. А., Кучкаров Б. Х.
Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
Бібліографічний опис:
Маматкаримов О. О., Хамидов Р. Х., Жабборов Р. Г., Туйчиев У. А., Кучкаров Б. Х. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 4. С. 418-422. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908780 |  Physical surface engineering / Issue (2012, 10 (4))
Mamatkarimov O. O., Khamidov R. Kh., Zhabborov R. G., Tujchiev U. A., Kuchkarov B. Kh.
Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
Cite:
Mamatkarimov, O. O., Khamidov, R. Kh., Zhabborov, R. G., Tujchiev, U. A., Kuchkarov, B. Kh. (2012). Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure. Physical surface engineering, 10 (4), 418-422. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908780 [In Russian]. | |
|
|
PDF