Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO4)2 методом рамановского рассеяния света / Песчанский А. В., Фомин В. И., Еременко А. В. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925297
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2012, Т. 38, № 6)

Песчанский А. В., Фомин В. И., Еременко А. В.
Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO4)2 методом рамановского рассеяния света

Бібліографічний опис:
Песчанский А. В., Фомин В. И., Еременко А. В. Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO4)2 методом рамановского рассеяния света. Физика низких температур. 2012. Т. 38, № 6. С. 616-626. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925297

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2012, 38 (6))

Peschanskij A. V., Fomin V. I., Eremenko A. V.
The Raman scattering investigation of low-energy electronic excitations features of the terbium ion in the KTb(WO4)2 single crystal

Cite:
Peschanskij, A. V., Fomin, V. I., Eremenko, A. V. (2012). The Raman scattering investigation of low-energy electronic excitations features of the terbium ion in the KTb(WO4)2 single crystal. Low Temperature Physics, 38 (6), 616-626. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925297 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна