О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах / Тимофеев В. Б. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925401
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2012, Т. 38, № 7)

Тимофеев В. Б.
О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах

Бібліографічний опис:
Тимофеев В. Б.  О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах. Физика низких температур. 2012. Т. 38, № 7. С. 693-702. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925401

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2012, 38 (7))

Timofeev V. B.
On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures

Cite:
Timofeev, V. B. (2012). On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures. Low Temperature Physics, 38 (7), 693-702. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925401 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна