Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / Сапаев И. Б. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928062
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2013, Т. 11, № 2)

Сапаев И. Б.
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Бібліографічний опис:
Сапаев И. Б.  Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры. Фізична інженерія поверхні. 2013. Т. 11, № 2. С. 223-227. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928062

English  Physical surface engineering   /     Issue (2013, 11 (2))

Sapaev I. B.
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure

Cite:
Sapaev, I. B. (2013). Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure. Physical surface engineering, 11 (2), 223-227. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928062 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна