Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Гулямов Г., Гулямов А. Г., Мажидова Г. Н. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928066
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2013, Т. 11, № 2)

Гулямов Г., Гулямов А. Г., Мажидова Г. Н.
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

Бібліографічний опис:
Гулямов Г., Гулямов А. Г., Мажидова Г. Н. Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках. Фізична інженерія поверхні. 2013. Т. 11, № 2. С. 243-245. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928066

English  Physical surface engineering   /     Issue (2013, 11 (2))

Guljamov G., Guljamov A. G., Mazhidova G. N.
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films

Cite:
Guljamov, G., Guljamov, A. G., Mazhidova, G. N. (2013). Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films. Physical surface engineering, 11 (2), 243-245. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928066 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна