Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Якубов А. А., Кулиев Ш. М. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933501
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2018, № 4)

Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Якубов А. А., Кулиев Ш. М.
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Бібліографічний опис:
Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Якубов А. А., Кулиев Ш. М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2018. № 4. С. 21-27. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933501

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2018, 4)

Abdulkhaev O. A., Jodgorova D. M., Karimov A. V., Jakubov A. A., Kuliev Sh. M.
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure

Cite:
Abdulkhaev, O. A., Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Jakubov, A. A., Kuliev, Sh. M. (2018). Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure. Technology and design in electronic equipment, 4, 21-27. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000933501 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна