Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / Трубаева О. Г., Чайка М. А. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000952636
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2018, № 5-6)

Трубаева О. Г., Чайка М. А.
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe1–x

Бібліографічний опис:
Трубаева О. Г., Чайка М. А. Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe1–x. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2018. № 5-6. С. 44-49. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000952636

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2018, 5-6)

Trubaeva O. G., Chajka M. A.
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals

Cite:
Trubaeva, O. G., Chajka, M. A. (2018). Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals. Technology and design in electronic equipment, 5-6, 44-49. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000952636 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна