Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / Каримов А. В., Каримов А. А., Рахматов А. З., Дадаматова К. Т. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2014, Т. 12, № 1)

Каримов А. В., Каримов А. А., Рахматов А. З., Дадаматова К. Т.
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

Бібліографічний опис:
Каримов А. В., Каримов А. А., Рахматов А. З., Дадаматова К. Т. Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода. Фізична інженерія поверхні. 2014. Т. 12, № 1. С. 14-19. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638

English  Physical surface engineering   /     Issue (2014, 12 (1))

Karimov A. V., Karimov A. A., Rakhmatov A. Z., Dadamatova K. T.
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode

Cite:
Karimov, A. V., Karimov, A. A., Rakhmatov, A. Z., Dadamatova, K. T. (2014). Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode. Physical surface engineering, 12 (1), 14-19. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна