Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide / Rodionov V. N., Bratus' V. Ya., Voronov S. O. (2019)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000441
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2019, Vol. 22, № 1)

Rodionov V. N., Bratus' V. Ya., Voronov S. O.
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide

Cite:
Rodionov, V. N., Bratus, V. Ya., Voronov, S. O. (2019). Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 22 (1), 92-97. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000441

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна