Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Семикина Т. В. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007755
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2016, Вып. 51)

Семикина Т. В.
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения

Бібліографічний опис:
Семикина Т. В.  Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2016. Вып. 51. С. 150-157. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007755

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2016, 51)

Semikina T. V.
Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method

Cite:
Semikina, T. V. (2016). Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 51, 150-157. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007755 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна